Name: HUF76629D3S
Brand: Rochester Electronics
SKU: HUF76629D3S
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: HUF76629D3S

Fabricant: Rochester Electronics

La description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 46400

Fiches techniques en ligne: HUF76629D3S PDF

HUF76629D3S Avis

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séries:UltraFET™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1285 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):110W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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