APT70GR65B2SCD30

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Pièce du fabricant

APT70GR65B2SCD30

Fabricant
Microsemi
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):134 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):260 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 70A
  • puissance - maximum:595 W
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:-
  • frais de porte:305 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:19ns/170ns
  • condition de test:433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:T-MAX™ [B2]
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