GPA030A120MN-FD

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Pièce du fabricant

GPA030A120MN-FD

Fabricant
SemiQ
La description
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
GPA030A120MN-FD PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):60 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:329 W
  • énergie de commutation:4.5mJ (on), 850µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:330 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:40ns/245ns
  • condition de test:600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):450 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3PN
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