APTM100H80FT1G

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Pièce du fabricant

APTM100H80FT1G

Fabricant
Microsemi
La description
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTM100H80FT1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):1000V (1kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:11A
  • rds sur (max) @ id, vgs:960mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:150nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3876pF @ 25V
  • puissance - maximum:208W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SP1
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1
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