QJD1210010

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Pièce du fabricant

QJD1210010

Fabricant
Powerex, Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
QJD1210010 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:25mOhm @ 100A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 10mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:500nC @ 20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:10200pF @ 800V
  • puissance - maximum:1080W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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