MSCMC120AM04CT6LIAG

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Pièce du fabricant

MSCMC120AM04CT6LIAG

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N Channel (Phase Leg)
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:388A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 300A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 90mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:966nC @ 20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:16700pF @ 1000V
  • puissance - maximum:1754W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP6C LI
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