VS-GB75SA120UP

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Pièce du fabricant

VS-GB75SA120UP

Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
La description
IGBT MODULE 1200V 658W SOT227
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
VS-GB75SA120UP PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:NPT
  • configuration:Single
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • puissance - maximum:658 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.8V @ 15V, 75A
  • courant - coupure collecteur (max):250 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:-
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SOT-227-4, miniBLOC
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-227
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