APT31M100B2

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Pièce du fabricant

APT31M100B2

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APT31M100B2 PDF
Enquête
  • séries:POWER MOS 8™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):1000 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:32A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:380mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 2.5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:260 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8500 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1040W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:T-MAX™ [B2]
  • paquet / caisse:TO-247-3 Variant
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