R6004JNJGTL

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Pièce du fabricant

R6004JNJGTL

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1095
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.43Ohm @ 2A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:7V @ 450µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 15 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:260 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):60W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:LPTS
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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