TP65H480G4JSG-TR

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Pièce du fabricant

TP65H480G4JSG-TR

Fabricant
Transphorm
La description
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
328
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):8V
  • rds sur (max) @ id, vgs:560mOhm @ 3.4A, 8V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 500µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 V @ 8 nC
  • vg (max):±18V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:400 V @ 760 pF
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):13.2W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:3-PQFN (5x6)
  • paquet / caisse:3-SMD, Flat Lead
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