IRFS3006-7PPBF

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Pièce du fabricant

IRFS3006-7PPBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
100000
Fiches techniques en ligne
IRFS3006-7PPBF PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:240A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 168A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:300 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8.85 pF @ 50 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):375W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK (7-Lead)
  • paquet / caisse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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