SGB02N120ATMA1

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Pièce du fabricant

SGB02N120ATMA1

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IGBT, 6.2A I(C), 1200V V(BR)CES,
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
235
Fiches techniques en ligne
SGB02N120ATMA1 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
  • courant - collecteur (ic) (max):6.2 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):9.6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.6V @ 15V, 2A
  • puissance - maximum:62 W
  • énergie de commutation:220µJ
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:11 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:23ns/260ns
  • condition de test:800V, 2A, 91Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2
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