APT65GP60B2G

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Pièce du fabricant

APT65GP60B2G

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
119
Fiches techniques en ligne
APT65GP60B2G PDF
Enquête
  • séries:POWER MOS 7®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type d'igbt:PT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):100 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):250 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 65A
  • puissance - maximum:833 W
  • énergie de commutation:605µJ (on), 896µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:210 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:30ns/91ns
  • condition de test:400V, 65A, 5Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3 Variant
  • paquet de dispositif de fournisseur:-
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