SSM6N815R,LF

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Pièce du fabricant

SSM6N815R,LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
314
Fiches techniques en ligne
SSM6N815R,LF PDF
Enquête
  • séries:U-MOSVIII-H
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate, 4V Drive
  • tension drain-source (vdss):100V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Ta)
  • rds sur (max) @ id, vgs:103mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.1nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290pF @ 15V
  • puissance - maximum:1.8W (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-SMD, Flat Leads
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP-F
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