BSG0811NDATMA1

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Pièce du fabricant

BSG0811NDATMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
7605
Fiches techniques en ligne
BSG0811NDATMA1 PDF
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fonction fet:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • tension drain-source (vdss):25V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:19A, 41A
  • rds sur (max) @ id, vgs:3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.4nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1100pF @ 12V
  • puissance - maximum:2.5W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TISON-8
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