BSZ0910NDXTMA1

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Pièce du fabricant

BSZ0910NDXTMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
DIFFERENTIATED MOSFETS
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
3420
Fiches techniques en ligne
BSZ0910NDXTMA1 PDF
Enquête
  • séries:OptiMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:9.5A (Ta), 25A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:9.5mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:5.6nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:800pF @ 15V
  • puissance - maximum:1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-WISON-8
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