FQA6N90_F109

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Pièce du fabricant

FQA6N90_F109

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
FQA6N90_F109 PDF
Enquête
  • séries:QFET®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):900 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6.4A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.9Ohm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1880 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):198W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-3P
  • paquet / caisse:TO-3P-3, SC-65-3
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