GT8G133(TE12L,Q)

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Pièce du fabricant

GT8G133(TE12L,Q)

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
GT8G133(TE12L,Q) PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):400 V
  • courant - collecteur (ic) (max):-
  • courant - collecteur pulsé (icm):150 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 4V, 150A
  • puissance - maximum:600 mW
  • énergie de commutation:-
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:-
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:1.7µs/2µs
  • condition de test:-
  • temps de récupération inverse (trr):-
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-TSSOP
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