APTSM120AM55CT1AG

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Pièce du fabricant

APTSM120AM55CT1AG

Fabricant
Microsemi
La description
POWER MODULE - SIC
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual), Schottky
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:74A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:50mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 2mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:272nC @ 20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5120pF @ 1000V
  • puissance - maximum:470W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SP1
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1
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