Name: FDP2D9N12C
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDP2D9N12C
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: FDP2D9N12C

Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

La description: PTNG 120V N-FET TO220

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 3200

Fiches techniques en ligne: -

FDP2D9N12C Avis

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séries:PowerTrench®
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):120 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:18A (Ta), 210A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:2.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 686µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:109 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8894 pF @ 60 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.4W (Ta), 333W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3

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