MTM231100L

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Pièce du fabricant

MTM231100L

Fabricant
Panasonic
La description
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI3-G1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
MTM231100L PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):12 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4V
  • rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 1A, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):500mW (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SMini3-G1
  • paquet / caisse:SC-70, SOT-323
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